三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产HBM基底裸片，打破此前全自主生产模式。这是英伟达首次要求三大HBM供应商统一使用台积电工艺，反映出三星在先进封装领域与台积电的技术差距正在扩大。

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三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产HBM基底裸片，打破此前全自主生产模式。这是英伟达首次要求三大HBM供应商统一使用台积电工艺，反映出三星在先进封装领域与台积电的技术差距正在扩大。