铭芯启睿首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片：采用 1T4R 存储结构，密度达 30Mb / mm²

铭芯启睿发布首款1Gb RRAM芯片，采用1T4R存储结构密度达30Mb/mm²，28nm工艺，访问延时<20ns，集成硬件纠错。这是国产存储技术的重要突破，但量产和商业化仍待验证。

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铭芯启睿发布首款1Gb RRAM芯片，采用1T4R存储结构密度达30Mb/mm²，28nm工艺，访问延时<20ns，集成硬件纠错。这是国产存储技术的重要突破，但量产和商业化仍待验证。