长鑫G6内存面积再缩30% 键合工艺首次登场

长鑫科技G6内存预计2028年推出，继续使用DUV光刻但面积缩小30%，首次引入键合工艺。这是国产DRAM在制程受限下的技术迭代方案，通过封装创新弥补光刻差距，体现了在制裁压力下的另辟蹊径。

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长鑫科技G6内存预计2028年推出，继续使用DUV光刻但面积缩小30%，首次引入键合工艺。这是国产DRAM在制程受限下的技术迭代方案，通过封装创新弥补光刻差距，体现了在制裁压力下的另辟蹊径。