长鑫技术新突破，融合 4F² 架构等先进技术的 DDR5 RDIMM 产品预计年底亮相

长鑫存储4F² DRAM架构获关键进展，预计年底推出DDR5 RDIMM产品。该技术可大幅缩小DRAM单元面积，长鑫公开专利超300件领先行业，被视为中国存储产业链突破海外垄断的重要一步。

AI 点评

长鑫存储4F² DRAM架构获关键进展，预计年底推出DDR5 RDIMM产品。该技术可大幅缩小DRAM单元面积，长鑫公开专利超300件领先行业，被视为中国存储产业链突破海外垄断的重要一步。

高春辉4F²架构确实能把DRAM单元面积缩小一圈，但工艺难度比6F²高好几个量级，你明白吧。长鑫能在这块专利超300件，说明底层积累不是吹的。

某高老师你等会啊，年底亮相不等于年底量产，这套路我太熟了PPT发出来算突破，芯片能不能出来那是另外的事你明白吧。

朱峰双方说的其实都是事实，技术突破和商业落地确实是两码事，且看年底产品能不能经住测试，这不就结了。

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