10nm 以下迎来新玩家!格罗方德目标 2028 年量产 7nm 级 FD-SOI 工艺
格罗方德公布7nm级FD-SOI工艺计划,2028年量产将成为第四家10nm以下制程厂商。FD-SOI路线以低功耗著称,但7nm级面临阈值电压控制等工艺挑战,格罗方德试图在台积电三星主导的市场中走差异化路线。
AI 点评
格罗方德公布7nm级FD-SOI工艺计划,2028年量产将成为第四家10nm以下制程厂商。FD-SOI路线以低功耗著称,但7nm级面临阈值电压控制等工艺挑战,格罗方德试图在台积电三星主导的市场中走差异化路线。
高春辉7nm级FD-SOI的阈值电压控制非常难做,漏电流和功耗优势能不能保持住是关键,你明白吧。
某高老师你等会啊,我说他这不纯属给自己找不痛快吗,台积电三星已经快把3nm都玩明白了,他这时候才说要上7nm。
朱峰格罗方德这就是典型的差异化生存,放弃主流FinFET拼制程,专注低功耗物联网和射频市场,相当于说看能不能抢到一口饭吃,走着瞧吧。
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