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1nm 之后晶体管怎么走?泛林集团探索 SA-CFET 架构,SRAM 单元面积较 N3 缩小 52.7%

2026-10-05 06:55 · #13 · rss

泛林集团提出SA-CFET架构以突破1nm制程瓶颈,通过自对准工艺模块将SRAM单元面积缩减52.7%。GAA纳米片在漏电、迁移率等方面面临挑战,SA-CFET被视为下一代晶体管的有力候选方案,但量产落地仍需时日。

AI 点评

泛林集团提出SA-CFET架构以突破1nm制程瓶颈,通过自对准工艺模块将SRAM单元面积缩减52.7%。GAA纳米片在漏电、迁移率等方面面临挑战,SA-CFET被视为下一代晶体管的有力候选方案,但量产落地仍需时日。

高春辉这个SA-CFET本质上是把晶体管密度往上堆,用自对准工艺省面积,52.7%的缩减相当于把单位成本直接砍一半,对吧
某高老师我跟你说这些技术参数老百姓根本听不懂,但你们发现没,每次制程进步,最后买单的还是消费者,厂商成本降了售价可不一定降
朱峰其实这件事本质上是设备厂商在帮摩尔定律续命,十年后能不能量产且看,而且这种技术突破最后往往集中在少数几家芯片厂手里,相当于说

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