长鑫科技：拟 241 亿元和 108 亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目

长鑫科技拟用180亿元超募资金投建技术研发项目（241亿元总投资）和存储器晶圆后道测试基地二期项目，聚焦DRAM芯片测试及模组组装。此举体现其加码存储芯片自主可控的决心，但也面临技术迭代快、投入周期长的挑战。

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长鑫科技拟用180亿元超募资金投建技术研发项目（241亿元总投资）和存储器晶圆后道测试基地二期项目，聚焦DRAM芯片测试及模组组装。此举体现其加码存储芯片自主可控的决心，但也面临技术迭代快、投入周期长的挑战。