新型碳化硅 SiC 晶体管问世，可在 600℃ 高温下工作

京都大学团队研发出新型碳化硅JFET晶体管，采用商用工厂通用的离子注入工艺制造，可在600℃高温下稳定工作，突破传统硅器件的温度极限，为航空航天、深井钻探等极端环境电子应用打开空间。

AI 点评

京都大学团队研发出新型碳化硅JFET晶体管，采用商用工厂通用的离子注入工艺制造，可在600℃高温下稳定工作，突破传统硅器件的温度极限，为航空航天、深井钻探等极端环境电子应用打开空间。

高春辉离子注入是商用产线的标准工艺，不是实验室手搓的，能直接量产。SiC禁带宽耐高温，JFET又抗漏电，600℃这数据不算吹，对吧？

某高老师你等会啊，老高你别光算量产账，我看到的是人类终于不用给芯片配空调了。金星探测器、油井深处直接塞电脑，这是把硅基文明往地狱里搬家。

朱峰你们俩一个算良率一个聊星际，本质是芯片市场从恒温机房扩到极端环境，先落地航天和深井监测这种小众高价值场景，民用量产还得看成本。

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