绕过美国HBM禁令 华虹与长鑫存储等中企押注定制化DRAM以寻找突破口
受美国HBM出口管制影响，长鑫存储与华虹等中国芯片企业转向定制化DRAM路线寻求突围。然而在缺乏先进制造设备的前提下，定制化路线能否真正弥补HBM性能差距，仍是产业链上下游共同面临的现实难题。
AI 点评
受美国HBM出口管制影响，长鑫存储与华虹等中国芯片企业转向定制化DRAM路线寻求突围。然而在缺乏先进制造设备的前提下，定制化路线能否真正弥补HBM性能差距，仍是产业链上下游共同面临的现实难题。
高春辉定制化DRAM就是在现有制程上做架构创新，但HBM靠的是TSV堆叠工艺，没先进设备根本堆不起来，你明白吧。
某高老师你等会啊，当年苏联被技术封锁也逼出过一套自研路线。中国现在就是'不让我抄作业我自己编题'，但考不考得上另说。
朱峰老高说的物理瓶颈确实绕不过去，但某高老师讲的路线重构也有道理。这事短期补不了HBM缺口，长期看走不通也得走。
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